《炬丰科技-半导体工艺》 硅半导体器件加工制造

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：硅半导体器件加工制造

编号：JFKJ-21-155

作者：炬丰科技

流程概览

  硅半导体器件加工的描述，可以是分立器件（仅包含一个有源器件的半导体，例如晶体管）或 IC（能够执行至少一个电子电路功能的单个半导体衬底内的有源和无源元件的互连阵列） ，涉及许多高度文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁技术性和特定的操作。本说明的目的是提供基本框架和解释，用于制造硅半导体器件的主要组件步骤以及相关的环境、健康和安全问题。

  IC 的制造涉及一系列过程，在电路完成之前，这些过程可能会重复多次。最流行的 IC 使用 6 个或更多掩膜来完成图案化工艺，典型的是 10 到 24 个掩膜。微电路的制造始于直径 4 至 12 英寸的超高纯度硅晶片。完全纯净的硅几乎是一种绝缘体，但某些杂质（称为掺杂剂）以百万分之 10 到 100 的量添加，使硅导电。

  集成电路可以由数百万个由掺杂硅制成的晶体管（还有二极管、电阻器和电容器）组成，所有晶体管都通过适当的导体模式连接，以创建计算机逻辑、存储器或其他类型的电路。在一块晶圆上可以制作数百个微电路。

  六个主要的制造工艺步骤适用于所有硅半导体器件：氧化、光刻、蚀刻、掺杂、化学气相沉积和金属化。接下来是组装、测试、标记、包装和运输。

氧化   略

光刻   略

湿化学  略

化学气相沉积   略