观前提示：这是（2），（1）在同一文集，如有错，务必点出，万一考到了呢（我太懒了，这个专栏的功能太辣鸡了，经常一编公式就崩掉一整段，尽量少码字少写公式了，实在受不了，也懒得搞得漂亮了，浪费时间

1.3 半导体三极管

1.3.1 结构及类型

    三个掺杂区域形成两个PN结

    1.发射区e：掺杂浓度最高，发射载流子，和基区形成发射结

    2.集电区c：面积最大，杂质浓度较低，收集基区的载流子，和基区形成集电结

    3.基区b：很薄且杂质浓度低，起到控制作用

    4.如何判断管子材料：Si管导通时的U_BE为0.5V~0.8V，Ge管导通时的U_BE为0.1V~0.3V

1.3.2 电流放大作用

    记忆的东西很多，都要记清楚，这里按知识点一一罗列出来

    1.晶体管的放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流

    2.输入回路（基极-发射极） 输出回路（集电极-发射极）

    3.共射放大电路，使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏且集电结反偏

    4.晶体管内部载流子运动

        发射极加正向电压，发射区的多子扩散运动到基区形成发射极电流 ——扩散到基区的发射区多子少部分和基区的多子复合运动形成基极电流——集电结加反向电压，基区的非平衡少子（发射区的多子扩散到基区）漂移运动形成集电极电流    

        表现I_B对I_C的控制作用，可将I_C视作I_B控制的电流源（懒得公式编辑了，麻烦）

    5.电流分配关系： 详细的看书罢

    （集电极电流与发射极电流近似相等，基极电流小于二者）

    （发射极电位与基极电位相近，集电极电位高于二者或低于二者，基极电位居中，若集电极电位最低则是PNP型，若集电极电位最高则是NPN型）

    6.共射电流放大系数

       共基直流电流放大系数： 

       共射交流电流放大系数：   （数值大概是20~100）

1.3.3 共射特性

        分为输入特性和输出特性

        1.输入特性：管压降一定时，基极电流与发射结压降的函数关系

        =0时，相当于两个二极管并联

        增大时，曲线右移，≥1V时，曲线基本不右移（原因不懂的自己看书，前面码字码完结果直接崩了我不想码了）

        2.输出特性：基极电流为常量时，集电极电流与管压降之间的函数关系

        三个工作区域：

        截止区：发射结电压小于开启电压(U_BE>U_on)且集电结反偏（U_CE>U_BE）

        放大区：发射结正偏且集电结反偏（U_BE>U_on且U_CE≥U_BE）此时I_C=βI_B

        饱和区：发射结与集电结都是正偏（U_BE>U_on且U_CE<U_BE），此时I_C<βI_B

        对于小功率管，可以认为U_CE=U_BE即U_CB=0时，晶体管处于临界饱和/临界放大状态

    

            3.温度升高时，输入特性曲线左移，输出特性曲线上移

1.3.4 主要参数

    1.直流参数：

        a.共射直流电流放大系数：

        b.共基直流电流放大系数：

        c.极间反向电流：

            是发射极断开，集电极与基极之间的反向饱和电流

            是基极开路时，集电极与发射极的穿透电流

            选择管子时，二者应尽量小，时少子的运动造成的，温度影响大，Si管比Ge管的极间反向电流小2~3个数量级，因此温度稳定性比Ge管好

    2.交流参数

        a.共射交流电流放大系数： 

        b.共基交流电流放大系数：

        c.特征频率：使共射电流放大系数β数值下降到1的信号频率，是电容效应引起的，使其失去放大能力

    3.极限参数

        a.最大集电极耗散功率：决定晶体管的温升，一般来说Si管＞150度，Ge管＞70度时管子明显受损甚至烧坏

        b.最大集电极电流：当其数值大到一定程度时，β会减小，使β明显减小的电流就是最大集电极电流

        c.极间反向击穿电压：

        ：发射极开路时，集电极-基极间的反向击穿电压，是集电结所允许加的最高反向电压

        ：基极开路时，集电极-发射极间的反向击穿电压，此时集电结承受反向电压

        ：集电极开路时，发射极-基极间的反向击穿电压，这是发射结所允许加的最高反向电压

第一章之后的内容老师没讲，直接讲第二章了，所以我就不在此写了，之后如果又讲，再看