《炬丰科技-半导体工艺》反应离子蚀刻的光刻工艺
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：反应离子蚀刻的光刻工艺
编号：JFKJ-21-136
作者：炬丰科技
摘要
在本研究中，干膜的光刻胶是用UV光刻法进行制版的优化侧壁剖面，实现侧壁垂直。 侧壁干燥垂直度胶片对于更好地转换图案非常重要。 分数因子设计利用该方法确定了影响井壁优化的重要变量。 的显著因子为暴露能量。 其他因素在改善方面不显著侧壁垂直度。人们发现侧壁坡度随暴露能量的减小而增大。反应离子蚀刻的光刻文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁图案干膜是必要的在干膜掩模的制造中。 进行了侧壁优化的干膜RIE实验使用Ar等离子体。 采用全因子试验设计确定影响过程的关键因素。 腐蚀速率范围为~150Nm /min ~ 5000nm /min。 蚀刻速率随射频功率的增大而增大氧气流量。 射频功率和时间对氩等离子体有显著影响。
制备的侧壁几乎垂直的干膜模具用于铜电镀和提钛应用。 对电镀工艺进行了优化部分因子设计。电流密度和电镀时间被发现有很重要的意义。 较低的电流密度导致了更平滑、更细的沉积相比之下电流密度更高。电镀的pH值的影响在干膜上的解决方案还有待研究。 干膜模具，增加侧壁坡度 对镀铜和提钛有较好的模式转移效果。
1. 介绍
1．1. 光致抗蚀剂
光刻胶是一种用于微电子工业的光敏材料在基材表面形成有图案的涂层。 图案是从光掩模用一种叫做光刻法的工艺将晶圆片装上光掩模。 在这个过程中，a 光刻胶涂在晶圆上，通过掩模暴露在光下。 一个光化学反应发生在抗蚀剂的这些暴露区域，然后很容易溶解在开发解决方案。 抗蚀剂图案取决于掩模图案和极性的抗拒。 正性光刻胶对光线的反应是这样一种方式，使曝光区域在发展过程中解散得更快。 换句话说未暴露的抵抗区域将保持不变。 负光刻胶反应以相反的方式照射，使抗蚀剂的未暴露区域溶解在开发人员解决方案，而暴露的区域仍然在后面。
本文讲述了 类型的光阻，干膜抗蚀剂的优点，液体光刻胶vs干膜光刻胶等问题。
