《炬丰科技-半导体工艺》超薄硅片刻蚀技术
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：超薄硅片刻蚀技术
编号：JFKJ-21-138
作者：炬丰科技
摘要
高效指间背接触太阳能电池有助于减少太阳能电池板的面积需要提供足够数量的能源供家庭消费。 我们认为适当的钝化技术的IBC电池即使在厚度不足的情况下也能保持20%的效率20μm。 本工作采用光刻和刻蚀技术对晶圆文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁进行深度刻蚀，使晶圆厚度小于20 μm。 四甲基铵各向异性腐蚀等离子体反应离子蚀刻与SPR 和SU-8光刻胶一起使用。 二氧化硅用作制作TMAH蚀刻层。 4英寸C - si晶圆的TMAH蚀刻是在80°C的温度下完成的个小时。 四分之一的4英寸c-Si晶圆的RIE用SF6作为反应气体进行3小时。 TMAH的腐蚀速率反应性离子蚀刻的蚀刻速率在此范围内在1.2 - 1.8 μm/min之间。 反应性离子蚀刻显示出以更大的尺寸实现更小的厚度的能力与TMAH蚀刻技术相比，具有更大的优点。
介绍
能源被认为是未来50年人类面临的头号问题。 通过估计，太阳能显示出供应潜力，在一个小时内，能满足的能量量世界一年的能源总需求。 这是光伏产业面临的主要挑战以与化石燃料竞争的成本生产足够数量的能源。 这个因素取决于对高效率光伏器件和降低制造成本的需求。 更高的据报道，太阳能电池的效率在规模上高于20%商用太阳能电池使用晶体硅材料。 这种类型的PV电池是指间背接触太阳能电池。
触点是用激光制造的最后进行铝金属化处理，完成加工工艺 的这种电池的优点是:(a)在正面没有金属阴影损失(b)电阻手指和母线造成的损失可以非常低，而且(c)有更容易的单元互连。
IBCs的引入是为了提高晶体硅太阳能电池的转换效率20%。 有了这种高效率，面板的尺寸为6.5平方米传统电池可减少至4.8平方米或较少满足家庭全年平均能源需求。 主要目标是开发程序这有利于大规模生产。 略
本文讲述了实验方法，SPR光刻胶和TMAH蚀刻，SU-8光刻胶与反应性离子蚀刻等问题。
