《炬丰科技-半导体工艺》超大集成电路化学污染控制技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：超大集成电路化学污染控制技术

编号：JFKJ-21-140

作者：炬丰科技

摘要 

  硅片表面吸附的微量化学污染对超大集成电路器件性能的影响越来越大。 为了防止化学污染物的吸附，必须通过分析来确定它们的来源，然后将晶片与这些来源隔离。 本文着重于检测、分析和消除化学污染，特别是吸附在硅表面的挥发性有机物。 它们在超大集成电路文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁晶圆加工中日益增加的有害影响，将为分析和预防表面痕量有机物带来未来的挑战和机遇。

介绍

  随着半导体器件的高度集成化和几何尺寸的不断缩小，不仅颗粒和金属污染，而且吸附在硅片表面的分子污染已经被发现对性能、产量、 和半导体器件的可靠性， 因此,为了防止化学污染物的吸附在硅表面,重要的是要查明的起源污染物通过确定化合物吸收表面的硅片和孤立的晶圆化学污染来源在ULSI晶片加工线。   

  化学污染可分为两类:无机污染和有机污染。 摘要半导体生产线中快裂变材料的无机污染分析技术及其防治措施已基本建立，而对快裂变材料的有机污染分析技术的研究尚不完善。

  在这篇论文中，化学污染-无机和有机-对器件加工的各个方面的影响将首先被简要地回顾。 本论文将着重于矽晶片表面有机污染的检测、分析和识别，以及在超大集成电路晶片加工过程中消除和预防有机污染。 重点强调了大力清洗晶圆片的重要性，更理想的是全面防止污染系统的发展。

本文讲述了有机污染，有机污染分析方法，  有机污染物的识别等问题。

结论     略