《炬丰科技-半导体工艺》氢氧化铵在RCA中清洁工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：氢氧化铵在RCA中清洁工艺

编号：JFKJ-21-268

作者：炬丰科技

蚀刻  

腐蚀的定义 

.各向同性蚀刻:各方向相同  

各向异性蚀刻:方向敏感  

选择性:两种材料之间的蚀刻速率差异  

.对掩蔽材料需要很强的选择性(例如。光刻胶)  

对蚀刻层以下的其他层也有良好的选择性  

蚀刻的两种主要类型  

基本的湿蚀刻工艺

速率限制步骤  

.速率限制:最慢的步骤  

.扩散受限:反应物/产品受控  

.活化受限:表面反应受控  

典型湿法蚀刻工艺

用于湿蚀刻的常用化学物质  

HF用于玻璃/硅腐蚀  

.用于硅腐蚀的硝酸  

用于铝蚀刻的磷酸  

.玻璃缓冲氧化蚀刻中的氟化铵  

.氢氧化铵在RCA清洁  

.醋酸作为缓冲剂