《炬丰科技-半导体工艺》纳米柱 ＧａＮ－ＬＥＤ的制备

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：纳米柱 ＧａＮ－ＬＥＤ的制备

编号：JFKJ-21-314

作者：炬丰科技

摘 要

  Ⅲ－Ⅴ族氮化物发光二极管因具有寿命长、尺寸小、高效、节能等优点，得到广泛的研究与应用。随着光通信、万物互联等领域的进一步发展，需要开发高质量的微纳光源和微纳光波导。纳米柱氮化镓发光二级管（ＧａＮ－ＬＥＤ）是一种重要的微纳光源，具有广阔的应用前景。另 一 方 面，作为应用最广的硅半导体材料本身并不是直接半导体，发光效率低下而不能作为光源使用。

关键词 氮化镓；分子束外延；纳米柱；发光二级管；微纳加工；光谱分析

引言

  氮化镓（ＧａＮ）作为Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体材料中的重要成员，具 有 热 导 率 高、耐 高 温、耐 酸 碱、高硬度等优良的光学和电学性能。通过改变不同含量的Ｉｎ，Ｇａ和 Ａｌ的氮 化 物 具有从０．６３～６．２ｅＶ 的连续禁带宽度，可以用来制备紫外、可见光以及光通信用发光器件。

实验部分

  实验 所 用 ＧａＮ 纳米柱利用射频分子 束外延设备 （ＲＦ－ ＭＢＥ，Ｒｉｂｅｒ３２）沉积而成。在生长之前，首先利用 ＲＣＡ 标准 工艺对Ｓｉ基板进行清洗。Ｓｉ基底表面上附着有机物，需要对 Ｓｉ衬底进行 清 洗。

结果与讨论

  图２是扫描电 子 显 微 镜（ＳＥＭ）下 ＧａＮ 基 纳 米 柱 的 表 面 和侧面的照片。