《炬丰科技-半导体工艺》电化学铜沉积室设计优化薄膜均匀性

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：电化学铜沉积室设计优化薄膜均匀性

编号：JFKJ-21-283

作者：炬丰科技

摘要

  本文研究了燃烧室设计参数对非均匀性的影还研究了电化学沉积Cu薄膜的方法通过模拟薄膜生长过程进行定量分析。这些参数包括腔体几何形状、电解液流动路径、电极配置、电场划分和隔离。进一步研究了碱性工艺的优化参数如沉积电流和电流分布电极。

介绍  

  电化学沉积铜金属化技术已逐渐取代铝在超大规模集成电路制造中金属化以形成互连在电阻种子层上电镀均匀的铜膜越来越困难更大的衬底，由于一种称为“终端效应”的现象。

理论与模型制定  

模拟和讨论

电极排列

结论   略