《炬丰科技-半导体工艺》第三代宽带隙半导体氮化镓器件研究进展

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：第三代宽带隙半导体氮化镓器件研究进展

编号：JFKJ-21-300

作者：炬丰科技

摘要

  第三代宽带隙半导体氮化镓引起了广泛的关注因其优异的电学和光学性能而受到工业界和研究界的关注。离子掺杂GaN材料不仅具有稀土元素的优良光学性能，而且具有优良的光学性能可以充分发挥半导体材料的优势。 

引言

  以 GaN 为代表的第三代宽禁带半导体材料在照明领域所占比重越来越大，是重要的照明材料。自从1993 年第一支高亮度的蓝色 GaN 基发光二极管( LED) 问世以来，LED 技术得到迅猛发展。目前，人们基InGaN 结构实现了近紫外到绿光发射器件的商业化。

材料制备

1.1原位生长法

对于 GaN∶ Eu 材料的生长，常见的方法之一为在蓝宝石、Si 或 GaN 自支撑衬底上通过 MOCVD，MBE，HVPE 方法原位生长。

1.2 离子注入法  略

两种制备方法的比较

发光机理

GaN∶ Eu的电荷转移态增强发光   略