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《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集17

2021-08-28 13:20 作者:华林科纳  | 我要投稿

一:氮化物深紫外LED研究新进展

二:钝化方法

三:多孔低k湿刻蚀

四:发光二极管材料生长技术

五:改善刻蚀均匀性的技术

六:化学机械抛光材料去除机理

七:光学薄膜的湿刻蚀

八:光学微机电系统

九:硅和sio2的湿式化学蚀刻

十:硅片超声清洗方法及配置

十一:光刻胶剥离清洗

十二:金属辅助化学刻蚀

十三:晶体硅刻蚀技术

十四:晶圆边缘清洗工艺

十五:晶圆臭氧清洗技术

十六:晶圆二流体清洗方法

十七:底层薄膜对化学机械抛光的影响

十八:第三代宽带隙半导体氮化镓器件研究进展

十九:氮化镓金属氧化物的表面制备和栅极氧化物沉积

二十:等离子体对有机污染物去除效率的影响


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