书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：RCA-1 清洁标准操作流程

编号：JFSJ-21-019

作者：炬丰科技

1. 目的和应用

这种清洁的目的是去除硅晶片上的有机污染物和颗粒。它会迅速侵蚀大多数有机材料和一些金属。这种清洁不应用于剥离抗蚀剂 - 为此目的使用丙酮。使用 RCA 标准清洁 1 作为最后的“抛光”清洁，以去除最后的残留物或在开始处理之前清洁新晶圆。

 

 

 

2. 设备、化学品和用品

RCA-1 由三种化学物质组成，NH4OH:H2O2:H2O (1:1:5)

 

1. 氢氧化铵 (28%)

2. 过氧化氢 (30%)

3. 去离子水

 

 

3. 个人防护装备

应使用以下设备：

 

§ 眼睛防护：需要安全眼镜和面罩。

§ 防护手套：黑色氯丁橡胶手套。使用前检查手套是否泄漏。

§ 防护服或装备：围裙。

 

 

4. 操作程序

1. 取三个适合您的样品的玻璃烧杯或信封，并将它们放在工作台上。

2. 为每个烧杯/信封写下您的名称和化学品类型。

3. 用去离子水填充两个烧杯/信封，使其覆盖您的样品。去离子水用于冲洗蚀刻剂。

4. 配制去离子水（5 份）、28% 氢氧化铵（1 份）和 30% 过氧化氢（1 份）的 5:1:1 溶液。化学品应按所列顺序添加。

5. 示例：1000 毫升烧杯适用于 4 英寸晶圆：

- 向烧杯中加入 625 毫升去离子水

- 加入 125 毫升 28% 的氢氧化铵

- 加入 125 毫升 30% 的过氧化氢

6. 混合物会变热。处理时要小心。

7. 如果您打算加热蚀刻（推荐），请在引擎盖中设置一个带有加热板的 au bain-marie。将装有蚀刻剂的烧杯/信封放入 au bain-marie（使用信封时使用支架）使其升温。使用安装在玻璃外壳内的温度传感器来测量蚀刻剂的温度。在高于 80 °C 的温度下直接加热无机混合物只允许在白天并且只有在 KN 员工个人批准设置后才允许。

8. 当溶液达到一定温度时，使用 Teflon 晶片支架将样品浸入烧杯中。将晶圆支架留在烧杯中会阻止大气泡在表面形成。如果表面的蚀刻剂变得饱和而新鲜的蚀刻剂无法到达表面，则蚀刻会减慢。搅拌可用于将蚀刻剂带到表面并促进蚀刻。在这种情况下，使用磁力搅拌器并小心地旋转蚀刻剂以加速蚀刻并提高均匀性。

 

去离子水冲洗

 

1. 蚀刻完成后，将样品小心地转移到第一个 DI 水冲洗烧杯/信封中，并将样品在 DI 水中移动 5 分钟。

2. 如果您使用镊子移动样品，请确保同时冲洗镊子。

3. 将样品转移到第二个 DI 冲洗烧杯中，并在移动样品的同时再冲洗 5 分钟。

 

样品干燥

 

1. 水冲洗完成后，取出样品并用 N2 枪吹干。

 

清理

1. 蚀刻剂不应用于多次蚀刻。加热后，该溶液仅在 30 分钟内有效。

2. 关闭电炉。

3. 在处理前让溶液冷却三小时。这段时间后，溶液中不应有气泡。

4. 当溶液处于室温时，小心地将其倒在装有去离子水的另外两个烧杯/信封上。

5. 使用文丘里管清除所有两个烧杯/信封中的废物。

6. 用去离子水冲洗所有烧杯/信封 3 次。

7. 将所有烧杯/信封倒置，用去离子水清洗外部并用 N2 枪吹干。

8. 将所有实验室器具放回其正确位置。

9. 清洁该区域并用去离子水冲洗。

10. 把你的黑色手套洗干净，放在长凳上。

 

 

以上只是基于实验的基础，实验设备也比较简陋，如果再结合湿法清洗设备进行蚀刻工艺，效果会有明显的提高，南通华林科纳半导体设备有限公司生产的湿法清洗设备能在各方面满足要求，使清洗达到事半功倍的效果。

 

如有侵权，请联系作者删除