《炬丰科技-半导体工艺》MOS晶体管

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：MOS晶体管

编号：JFSJ-21-066

作者：炬丰科技

摘要：

1.源漏之间的传导通道

2.由施加到栅极的电压调制（压控器件）

3.nMOS 晶体管：多数载流子是电子（更大的迁移率），p 衬底掺杂（正掺杂）

4.pMOS 晶体管：多数载流子是空穴（迁移率较低），n 衬底（负掺杂）

制作步骤：

1. 通过光刻工艺在晶圆上图案化特征（光刻，n. 从平面上打印的过程，在该平面上要打印的图像是吸墨性的，空白区域是拒墨性的）。

2. 用称为光刻胶的光敏有机材料覆盖晶圆。

3. 以适当的图案（遮罩）暴露在光线下。

4. ？

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