《炬丰科技-半导体工艺》氢氧化铵溶液中纳米级图案的超声波和兆声波清洗对颗粒去除和
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：氢氧化铵溶液中纳米级图案的超声波和兆声波清洗对颗粒去除和特征损伤的适用性
编号：JFKJ-21-001
作者：炬丰科技
在这项研究中，通常将方形或矩形压电器件阵列粘合到基板上并尽可能靠近以进行有效的兆声波清洁，兆声波清洁用于在硅蚀刻后清洁期间去除侧壁颗粒。开发了一个系统，其中包含通过调整 NH4OH 中的功率产生的超声波和兆声波过程的不同措施。晶片和兆声换能器之间间隙中的兆声波确保整个晶片的声能均匀。兆声能促进自由基的产生，从而在稀溶液中去除残留物。与超声波相比NH4OH 溶液中兆声波清洗的特征损坏减少......
关键词：兆声波清洗、TSV清洗、盲孔清洗
1. 介绍
由于产量损失和未能控制缺陷，颗粒残留是 IC 中的一个主要问题；这限制了半导体制造的产品性能 [1]。然而，通过化学溶液辅助。
通过声场（在 MHz 范围内），通常可以实现颗粒去除 [2]。超音速清洁是一种比声流或声空化更温和的清洁机制。3, 4] 并广泛用于器件制造过程中的晶圆表面清洁，通常是方形或矩形压电器件阵列，它们粘合到基板上并间隔为尽可能靠近以进行有效的兆声波清洁的转导 [5]。生产线前端、生产线后端和高颗粒去除效率等工艺(预) 可以实现 [6, 7]。最近，水平单一或堆叠 Gate-All-Around(GAA) 纳米线/纳米片由于其出色的短通道控制和静电性能，已经对结构进行了深入研究[8, 9]，这对亚 5 纳米技术节点有效 [10]。Si、GeSn、InGaAs 和 SiGe 堆叠沟道场效应晶体管(FET) 之前已经研究过 [11]，并且在兆声搅拌的帮助下，纯锗堆叠纳米片 FET 首次被成功证明 [12]。
空化涉及持续几个声学周期的振荡，并具有能量的内爆释放，最终导致气泡破裂[3]。空化强度被认为是一个关键指标[13, 14] 以及晶圆上特征损坏的重要指标的表面 [15, 16]。 极端空化有利于去除颗粒，但会损坏晶圆特征 [17, 18]。由于稳定的空化和微流，通过振荡气泡的声流，从图案化的晶片表面去除颗粒[19]。保持稳定的空化和更小的节点，同时保持高去除效率并避免损坏晶圆表面是兆声清洗的主要挑战。20, 21]。
已经提出使用多种力去除颗粒，包括微空化 [22], 声压梯度 [23] 和声流 [24] 由兆声波引起。这种流动被认为是基材兆声清洗中的主动过程[18]。由于其在表面清洁中的重要性，剪切应力通过瞬态和稳定的射流撞击固体壁而表现为近壁空化。25, 26]。本研究旨在更好地确定兆声清洗的有益效果。在这里，与兆声换能器组装在一起的兆声波导管被制造到电源的兆声系统中。为了确定兆声波清洁性能，测量了声压，并对兆声波和超声波技术进行了比较。
2. 实验细节
数字 1(a) 显示了本研究中的兆声波清洗过程的示意图，还显示了晶片的位置。晶圆的两面都进行了超声波清洗，背面和背面全功率单个晶片清洁板正面的衰减功率。旋转清洁工具配备径向换能器阵列，用于单晶片的兆声波湿法清洁。兆声波换能器（面积 323 毫米）旨在以 0.98 MHz 的频率向自旋基板（通常为 0-50 rpm）施加均匀的声能 略
3结果和讨论 略
4结论 略
如有侵权，请联系作者删除
