《炬丰科技-半导体工艺》硅片清洗技术
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：硅片清洗技术
编号：JFKJ-21-002
作者：炬丰科技
抽象的
随着 VLSI 越来越高的集成度成为一种商业实践，需要高质量的晶圆。对于表面上几乎没有金属杂质和微粒和有机物的高度清洁的晶片尤其如此。为了生产高洁净度的wctfm，需要通过对表面杂质行为的实验和理论分析来建立晶圆表面清洗技术。本文解释了金属和颗粒杂质对硅晶片表面的粘附机制，并提出了一些清洁方法。
一、简介
增加 LSI（大规模集成电路）的集成密度需要更高质量的硅晶片。更高质量的晶圆意味着在晶体精度、成型质量和表面质量方面的卓越品质。必须考虑有关芯片尺寸增加和制造成本增加的问题。近年来，300 毫米晶圆的实际应用已经被讨论。300 毫米晶圆需要极高的表面清洁度0（参见图 1）。已经开始规定有机杂质以及传统杂质（例如金属和颗粒）的规格。这些杂质来自晶圆制造设备、化学品、人体、洁净室材料、无尘服装和反应产物，并且通常沉积在晶圆表面 25。
101！一世 一世 1 r 1 1 一世 0.14 设备性能。为此，硅片的表面清洁度不断提高。
为了满足这些要求，重要的是对硅晶片表面发生的现象进行理论上的分析，并根据理论分析的结果进行工艺设计。本报告特别涉及金属和颗粒对晶片表面的粘附机制，并根据我们的理论研究介绍了新的清洁方法。
2. 金属对硅片表面的吸附机理
由于硅晶片表面上的铁会导致晶体缺陷并降低器件性能，因此应尽可能将其去除。Henley 等人 3) 指出，8 nm 的栅极氧化层厚度需要 10'° cm"3 的铁污染水平。与铁一样，其他金属（例如镍、铬、铜、锌和钠）
会降解器件性能（或改变晶体管阈值，诱发晶体缺陷以降低 pn 结泄漏和栅极氧化物完整性，或加速氧化）。必须减小它们以满足器件尺寸的缩小。去除这些金属或控制它们在清洗液，有必要了解它们在清洗液中的行为。
会降解器件性能（或改变晶体管阈值，诱发晶体缺陷以降低 pn 结泄漏和栅极氧化物完整性，或加速氧化）。必须减小它们以满足器件尺寸的缩小。去除这些金属或控制它们在清洗液，有必要了解它们在清洗液中的行为 略
1 离子平衡分析 略
2 酸溶液中金属粘附机理 略
3粒子附着机制 略
4新的清洁工艺 略
5结论 略
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