《炬丰科技-半导体工艺》硅片各向异性化学刻蚀

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：硅片各向异性化学刻蚀

编号：JFKJ-21-142

作者：炬丰科技

关键词:KOH腐蚀剂，各向异性腐蚀，表面形貌。  

摘要

   综述了p型硅晶片各向异性刻蚀的表面化学研究进展，研究了硅在碱性溶液中使用润湿剂的各向异性化学腐蚀进行了讨论。 影响晶体上二氧化硅层生产的主要因素，硅由于受到湿碱各向异性化学蚀刻的浓缩，溶液(KOH)和润湿剂(正丙醇)，温度(80℃)和蚀刻时间(4人力资源)的过程。 二氧化硅层在许多先进领域文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁得到了应用。 采用XRD、SEM和FTIR对合成的二氧化硅层进行了系统表征。  XRD结果表明，硅层具有非晶态性质。 红外光谱证实了在生产的样品中硅氧的存在。 SEM证实了正丙醇的加入  KOH溶液改善了光滑的Si的腐蚀各向异性表面。

                                    介绍  

  开发效率最高、成本最低的太阳能电池需要进行表面处理采取措施，最大限度地提高光捕获特性和减少复合损失结构化的接口。 Si表面的织构化也导致了表面的增加重量，导致重组损失增加的不规则现象。 至关重要的是去除损坏的表面层以降低微粗糙度。 湿化学处理仍然是在太阳能生产线中用于晶圆表面纹理化的标准方法。用于微细加工的基本蚀刻技术是干蚀刻(等离子体)和湿法蚀刻(液相)。 干式蚀刻的缺点如下，所使用的气体干蚀刻是很有毒性和腐蚀性的。 它需要非挥发性化合物的再沉积，而且它需要专门的和昂贵的设备。  湿法蚀刻是廉价的，它已经被广泛地用于制造许多应用程序。 它是一种用液体化学物质或蚀刻剂去除材料的过程晶片。 特定的图案由晶圆片上的掩模定义。 材料不是被液体化学物质腐蚀掉的面具。 对于各向同性湿法蚀刻，氢氟酸、硝酸和醋酸的混合物是最常见的蚀刻溶剂硅。 当反应发生时，物料以与反应速度相似的速率侧向移出向下腐蚀。 即使有掩模，湿化学蚀刻通常也是各向同性的因为液体腐蚀剂可以穿透掩膜下面。

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