《炬丰科技-半导体工艺》光刻胶的氧化去除

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：光刻胶的氧化去除

编号：JFKJ-21-143

作者：炬丰科技

摘要  

  含氧化剂的化学体系广泛应用于半导体的各个阶段加工，特别是湿式清洁和抛光应用。 本论文提出了一个一系列与前线末端材料的氧化去除相关的研究集成电路制造过程中的化学机械平化过程。在本研究的第一部分，剥离光阻暴露于高剂量离子在活化的过氧化氢体系中进行了研究。 剥离的光刻胶暴露于高剂量离子束是最具挑战性的技术之一。 这是由于在抗蚀剂表面形成的不反应的地壳层在离子注入。 利用金属离子文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁或紫外线激活的过氧化氢体系光，以破坏形成的外壳深UV抗蚀剂，使外壳完全清除作为底层光刻胶进行了研究。 对变量的系统评估，如过氧化氢和金属离子浓度、紫外线强度、温度和时间进行了实验，并研制出了一种能够攻击外壳的最佳配方。工艺是用活性氧溶液进行预处理，然后采用硫酸-双氧水混合液进行处理去除结痂的抗蚀膜。 这种方法被称为电辅助化学机械平面化在集成电路制造中引起了广泛的兴趣。   略

                                 介绍

  在标准CMOS工艺流程中，p型和n型MOS晶体管的源极和漏极定义为III族和V族元素离子的注入。光致抗蚀剂通常是用于CMOS器件离子注入时的块掩模处理。这些电阻必须在每次植入过程后被移除，因为它们不是最终IC器件的一部分。高剂量离子束损坏的上层光刻胶形成了一层坚硬的“外壳”，很难去除。消除抗拒在处理过程中暴露于离子，目前采用氧等离子灰法接下来是湿式清洗步骤。这种灰条法有许多缺点，它是一个高能量过程中，由于氧化和掺杂剂损失导致硅损失，并产生微粒污染。用于去除电阻器暴露于离子时的某些敏感浅植入(用于减少源极/漏极和通道区域之间的电阻)步骤，用“全部”湿化学方法来替代灰分/带钢工艺已经引起了人们极大的兴趣集成电路制造商。这种更换可以潜在地减少抗蚀剂去除周期时间和整体材料消耗，并可消除灰化所造成的损害。

本文讲述了集成电路制造，FEOL处理的挑战，光阻等问题。