《炬丰科技-半导体工艺》柠檬酸清洗液对金属表面污染物去除效果评价

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：柠檬酸清洗液对金属表面污染物去除效果评价 

编号：JFKJ-21-190

作者：炬丰科技

摘要:

  我们研究了基于柠檬酸的清洗液来去除金属污染物硅片表面。采用旋涂法对硅片进行Fe、Ca、Zn、Na、Al、Cu等标准污染，并在各种添加Ca的清洗液中进行清洗。金属的浓度采用气相分解耦合等离子体质谱仪对清洗前后硅片表面的污染物进行分析。并对其表面微粗糙度进行了测量通过原子力显微镜来评估清洗溶液的效果。结果表明:CA/H2O溶液呈酸性能去除硅表面的金属污染物。硅表面的Fe、Ca、Zn和Na从1012个原子/cm2的数量级下降到大约是109个原子/平方厘米即使在低CA浓度，低温度下CA溶液，浸渍时间短。CA在碱清洗溶液中也有很好的效果。铁，钙，锌，钠和铜被还原为109个原子/平方厘米在CA加入NH4OH/H2O2/H2O溶液中不降解表面。  

关键词:柠檬酸，硅片，金属污染物，气相分解  。

介绍  

  随着 integrated 设备超大规模工艺对污染物的要求越来越严格，清洁工艺变得更加重要。晶圆片表面的金属污染物是其性能的主要，例如增加p-n结漏电，降低氧化物击穿电压，加速载流子寿命的测定。据报道硅表面的金属污染需要加以抑制小于1×1010原子/cm2用于制造64兆DRAM以防止上述故障的发生。在未来，这个级别应该精确到1×109原子/平方厘米。首次提出了基于H2O2化学的湿法清洗技术通过Kern仍然主要用于半导体设备制造去除污染物，并已在最近几年的各种方法，以提高清洁效果或减少化学物质的消耗。略

结果与讨论   略