《炬丰科技-半导体工艺》RCA晶圆清洗工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：RCA晶圆清洗工艺

编号：JFKJ-21-191

作者：炬丰科技

  随着清洁和环境需求的增长，该行业标准的RCA清洁正慢慢地让位于多种选择可选择的晶圆清洗选项列表。

关键因素：  

  清洗设备的类型，其年代而它的原始成本是关键因素晶圆沾污量该公司的一个部门经理例如，抽油烟机和再循环系统，”以前加工100mm晶圆双极模拟设备。  

两步清洗：  

  当时设计了RCA清洁，1965年RCA的使用，五年后公开审理。 这两步清洁是一种氧化和络合的治疗。 它使用H202 - NHIOH和Hz02 - HC1水溶液在75-80°C下搅拌10分钟。从化学角度来说，它现在起作用了一个顾问，因为H202在高pH值是一种强氧化剂，会破坏有机污染物，并分解了H20 + 02。 NH40H是强络合剂对很多金属。此外,用盐酸H202形成可溶铝、钾和金属盐。

补偿法    略

减少浪费  略

二氧化碳排放   略