《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓发展技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：氮化镓发展技术

编号：JFSJ-21-041

作者：炬丰科技

摘要：在单个芯片上集成多个电源开关的能力是 GaN 电源 IC 的一大优势，例如图 1(a) 。由于GaN层可以在不同的衬底上生长，早期的工作中采用了一些绝缘材料，如蓝宝石和碳化硅。然而，从早期的努力中可以明显看出，GaN-on-Si 将实现成本结构和使用现有大直径晶圆厂的能力，这将是一个很大的优势。由于硅是一种导电基板，因此在处理基板电位以及它与功率器件相互作用的方式方面带来了额外的挑战。

第一个具有 GaN FET、GaN 模拟和 GaN 逻辑的全功能 650V GaN 功率 IC 于 2016 年和 2017 年以单开关 v 和半桥 vi 格式推出，如图 2 所示。

未来 5 年 GaN 预测的最大市场是移动快速充电，预计到 2025 年市场将达到 7 亿美元 xi.ii 硅设计继续被选择用于低功率、大外壳、低性能充电器从 5 W – 20 W，大多数新的更高功率、旗舰智能手机充电器设计（从 45 W 到 100 W）都是 GaN。

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