三星3纳米芯片开始下线

与5纳米相比，这些芯片可以实现45%的功耗降低，体积缩小16%，性能提高23%。

5纳米芯片的时代似乎已经结束了，三星今天宣布3纳米芯片的初步生产已经开始。

这种新的、更小、更高效的芯片依赖于三星的gate -全能(GAA)晶体管架构和多桥-通道FET(MBCFET)技术。前几代芯片依赖于横向添加鳍片(FinFET)，但MBCFET转换为可以垂直堆叠的纳米片晶体管。

这样做有很多优势，包括继续使用FinFET的工具和制造方法的能力，由于垂直叠加，不需要额外的区域来提高速度，以及开关行为的改善，三星可以降低操作电压。

三星表示，与5nm工艺相比，第一代3nm芯片可以降低高达45%的功耗，提高23%的性能，并减少16%的所需面积。三星电子的第二代3nm工艺将分别带来50%、30%和35%的更大收益。

三星还没有宣布3nm芯片的第一批客户是谁，但一旦他们的产品可行，他们肯定会出现在该公司自己的移动设备上。目前，三星的主要竞争对手台积电(TSMC)仍专注于生产5nm芯片，3nm芯片将在今年晚些时候推出，2nm芯片计划在2025年推出。因此，三星似乎至少领先了几个月。