德国HBM U10M/25KN力传感器

各位读者朋友大家好，我是【广州南创★电子科技】德国HBM U10M/25KN力传感器事业部的何工。

U10M/25Kn德国HBM力传感器霍尔效应是由带电粒子（如电子）【广州南创★电子科技】U10M/25Kn德国HBM传感器相应电场和磁场的相互作用引起的。U10M/25Kn HBM力传感器霍尔效应原理：当U10M/25Kn HBM传感器导电板连接到带有电池的电路时，U10M 25Kn德国HBM传感器电流开始流动。

【广州南创★电子科技】U10M 25Kn HBM力传感器电荷载体将沿着从板的一端到另一端的线性路径。U10M 25Kn HBM传感器电荷载流子的运动导致磁场的产生。当德国HBM 1-U10M/25Kn力传感器磁体靠近板放置时，德国HBM 1-U10M/25Kn传感器电荷载流子的磁场会发生畸变。这扰乱了德国HBM U10M25Kn力传感器电荷载流子的直线流动。德国HBM U10M 25Kn传感器扰乱电荷载流子流动方向的力称为洛伦兹力。

由于HBM U10M25Kn传感器电荷载流子磁场的畸变，【广州南创★电子科技】U10M 25Kn德国HBM力传感器带负电的电子将偏转到板的一侧，而HBM 1-U10M/25Kn力传感器带正电的空穴将偏转到板的另一侧。HBM 1-U10M/25Kn传感器在板的两侧之间会产生一个电位差，德国HBM U10M/25Kn传感器称为霍尔电压，HBM U10M/25Kn传感器可以用仪表测量。

1-U10M/25Kn德国HBM传感器霍尔效应原理表明：当【广州南创★电子科技】1-U10M/25Kn HBM力传感器将载流导体或半导体引入垂直磁场时，1-U10M/25Kn HBM传感器可以在电流路径成直角的位置测量电压。

德国HBM U10M/25Kn力传感器相关型号：【广州南创★电子科技】U10M/1.25KN力传感器；U10M/2.5KN力传感器；U10M/5KN力传感器；U10M/12.5KN力传感器；U10M/25KN力传感器；U10M/50KN力传感器；U10M/125KN力传感器；U10M/250KN力传感器；U10M/500KN力传感器；U10M/1.25MN力传感器；