德国HBM U2B/1KN力传感器

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当U2B/1KN德国HBM力传感器周围的磁通密度超过某个预设阈值时，【广州南创★电子科技】U2B/1KN德国HBM传感器会检测到它并产生称为霍尔电压 VH 的输出电压。U2B/1KN HBM力传感器具体的原理如下图所示。

霍尔效应U2B/1KN HBM传感器基本上由一块薄薄的矩形 p 型半导体材料组成，【广州南创★电子科技】U2B 1KN德国HBM传感器例如砷化镓 (GaAs)、锑化铟 (InSb) 或砷化铟 (InAs)，U2B 1KN HBM力传感器自身通过连续电流。

U2B 1KN HBM传感器当霍尔效应传感器放置在磁场中时，【广州南创★电子科技】德国HBM 1-U2B/1KN力传感器磁通量线对半导体材料施加一个力，德国HBM 1-U2B/1KN传感器使载流子、电子和空穴偏转到半导体板的任一侧。德国HBM U2B1KN力传感器电荷载流子的这种运动是它们穿过德国HBM U2B 1KN传感器半导体材料时所经历的磁力的结果。

当HBM U2B1KN传感器这些电子和空穴向侧面移动时，由于【广州南创★电子科技】U2B 1KN德国HBM力传感器这些电荷载流子的积累，HBM 1-U2B/1KN力传感器在半导体材料的两侧之间会产生电位差。然后，HBM 1-U2B/1KN传感器电子通过半导体材料的运动受到与其成直角的外部磁场的影响，德国HBM U2B/1KN传感器这种影响在扁平矩形材料中更大。

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