教材：模拟集成电路设计实验课程 科学出版社（2015）；实验二

IC617；工艺：tsmc18mmrf；管子3.3V nominal N/PMOS

静态工作点仿真

  先进行静态工作点仿真，再进行其他仿真，模拟电路需先判断各器件偏置是否正常。用于确认静态工作点、进行直流参数扫描（如直流参数随W/L的变化）。

· 显示仿真结果：ADE中①Result→Annotate→.. 在原理图中显示；②Result→Print→..点击元件，弹出状态信息框

· 查看晶体管region：https://blog.csdn.net/qq_40007892/article/details/119568781

ADE中Result→Print→DC operating Points，点击器件，region= 0,1,2,3,4分别对应截止区、线性区、饱和区、亚阈值区、breakdown，这样一个个看比较慢。连接中的方法二用不了，原因不明。

ICMR（共模输入范围）仿真

· 将电路连接成单位增益缓冲器的方式，设置Vin从0~VDD直流扫描，由于虚短，VINP=VINN，虚短的前提是高增益，才有Vout=Vin，因此输出跟踪输入的输入的范围就是ICMR。这种方法忽略了输出摆幅对ICMR的影响，通常输出摆幅都比ICMR大。

· 仿真设置：在ADE中添加扫描的变量，在dc仿真中如下图设置，输出选择Output→To be plotted→Select on design→选中输出网线，选中的网线会变色，随后按Esc退出选择

· Run，结束后自动弹出仿真结果，ICMR范围是427.2mV~3.102V；先按a标注一个点，再按b标注另一个点，可以显示斜率。

输出摆幅仿真

· 配置一个比例放大电路，Rf=10R1，则放大-10倍；对VINP进行0~VDD的扫描，观察输出线性范围即可。

· 扫描设置方式和ICMR仿真相同，得到波形：输出摆幅是333mV~2.962V；

Av、GB、相位裕度仿真

· 电路：单端输出差分对（输入级）+共源放大电路（输出级），米勒补偿

· 分析类型配置：用ac仿真，通常要扫描单位增益带宽的100~1000倍，看到零点的位置；起始频率不设为0，否则Spectre仿真器可能出bug。

· Run，Result→Direct Plot;在这个界面里，选择Main Form更自由，选择下面的选项更方便，比如选AC Gain & Phase，根据提示依次选择输出、反相输入，可以直接获得幅频和相频，这里用Main Form的方式：

· 幅频特性：voltage→Differential Nets→dB20→原理图上，依次选择输出端和Vin-

· 相频特性：voltage→Differential Nets→phase→原理图上，依次选择输出端和Vin-

· 按m添加Marker，按v和h分别添加竖线和横线，查看低频增益、3dB带宽、相位裕度；低频增益=68.6dB，3dB带宽为15.75kHz（未达设计目标），相位裕度为47.5deg（有点危险）

SR（转换速率）

· ScanRate V/s，输出随输入翻转的速度，配置成一个单位增益缓冲器，在VINP设置一个脉冲输入（vpulse），观察输出的瞬态波形。跟ICMR测试相比，注意要加上负载CL（值根据设计需求设定，这里是500fF）。

· 脉冲输入的摆幅不超出工作范围，阶跃时间设置为很小的值，周期根据需求选择：

· 设置仿真类型为tran，精度根据需求选择，可以直接不选。Output选择输入、输出波形，方便对比：

· 观察波形，先按a再按b，分别选择两个点，自动显示斜率，SR取斜率最大处；上升和下降沿要分别求SR。上升沿SR为41.3MV/s，下降沿SR为36.6MV/s

其他

温度选择：ADE的Setup→Temperature一般的模拟电路初步仿真时用25°C即可，对基准源之类的电路要扫描温度。

仿真采用的工艺模型：ADE的Setup→Model Libraries，不同仿真器的Model文件格式不同，通常常用仿真器的模型文件都会提供，并且按照仿真器目录存放。如图hspice、spectre是不同的仿真文件，可以参考https://blog.csdn.net/zui_ying/article/details/122246421的报错SFE-23。

点击下图按钮可以查看文件内容，可以知道model文件内含有哪些模型