小米首款自研芯片被质疑“换皮”？官方已辟谣

小米在去年12月发布了小米12系列旗舰机，其中小米12 Pro不仅有高通最新骁龙8 Gen1芯片，而且还搭载了小米首款自研充电芯片：澎湃P1。

笔者了解到，小米的澎湃P1是行业首款谐振充电芯片，此前传统电荷泵是通过变压和直通两种模式工作，而澎湃P1则是通过单颗芯片完成六种变压模式，结合双向导通，可以有15种排列组合的模式切换，是传统电荷泵的7倍之多。小米的这种方案可以让搭载澎湃P1充电芯片的移动设备拥有更高效的输出效率，根据小米官方公布的数据显示，输出效率已经达到了96.8%。小米同时将内部电路简化，可以避免发热位置过于集中，也有利于增强散热。

自从这颗澎湃P1芯片发布后，网络一直都在争论这颗芯片是否为“真自研”。笔者了解到，近日有部分网友发文称澎湃P1芯片并非小米自研，而是把南芯半导体研发的充电芯片重新“换皮”后贴上了“自研”标签。面对愈演愈烈的网络传言，南芯半导体公司在2月8日正式发表声明，表示小米澎湃P1是“换皮”芯片的言论不实，与事实完全不符。

声明中提到：“小米澎湃P1充电芯片为小米自研设计，南芯半导体代工制造(内部代号SC8561)。这款充电芯片具备超高压4:1充电架构，实现了120W单电芯充电，支持1:12:1和4:1转换模式，所有模式均可双向导通，可实现有线120W、无线50W、无线反充等多种充电功能。”

至于网络上所说的这颗南芯SC8571充电芯片，实际上是南芯半导体在2021年9月发布的，芯片是超高压4:2充电架构，可实现120W双电芯充电，主要是针对有超大功率充电需求的设备，支持4:2、2:2两种模式。两颗芯片的充电功率相同，这是否意味着是同款呢？南芯表示，小米自研的澎湃P1充电芯片与南芯SC8571拓扑结构完全不同，是不同设计、不同功能、不同定位的两颗独立充电芯片。

从南芯半导体的声明来看，可以确定的是，小米这颗澎湃P1充电芯片确实和南芯半导体公司有关系，但仅仅是代工制造，而所谓的“换皮”则是谣言。此外，南芯半导体也详细解释了两颗芯片的拓扑结构，从技术上看，可以说两颗芯片之间没有任何相同之处。

目前南芯半导体方面已正式辟谣，这也印证了小米是自研充电芯片，也请大家不要再以谣传谣。从去年开始，有部分国产手机厂商都开始做自研芯片，虽然都是一些非核心部件，但能走出这一步已实属不易，笔者希望各路网友都能“嘴下留情”。