欢迎光临散文网 会员登陆 & 注册

《炬丰科技-半导体工艺》马兰戈尼干燥过程中晶圆接触痕污染处理方法

2021-09-04 11:00 作者:华林科纳  | 我要投稿

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:马兰戈尼干燥过程中晶圆接触痕污染处理方法

编号:JFKJ-21-282

作者:炬丰科技

  硅晶圆在马兰戈尼干燥过程中接触痕污染严重与晶片与接触区域的保水有关在晶圆/夹持片上形成保水性 接触是用概念模型来处理的。 一个技术提出了采用毛细管引流的方法来解决接触问题

介绍

  在半导体制造中,硅片(或其他半导体材料)是通常采用一系列湿化学清洗步骤来制备晶圆片表面用于后续集成电路制造工艺。 硅片干燥是最后也是最关键的一步,通过使成品表面干净、干燥,使之成为湿晶圆片表面处理过程有效。 在各种薄片干燥技术中马兰戈尼干燥法由于其在许多方面的优点而被广泛应用

概念模型  

  毛细管力的存在被认为是由于分子间的作用力这些分子间的力就是液体内的粘结力和液体之间的粘附力的结合和固体表面。 这种力随着周围固体的距离而增大表面减少。 在这种情况下,一个Marangoni烘干机槽可以想象为一个大底部有排泄阀的圆柱形容器,同时与晶圆片/梳状片接触紧密的几何形状可以看作是一个直径小得多的毛细管

实验  

为了验证和实施毛细管引流的概念,进行了一系列的试验   略

结果与讨论  

  图4a上毛细管介质材料的液滴吸收试验 分别在晶圆片/梳状片接触的平面表面和紧密几何形状上。 这是观察到一个~0.05mL的水滴(即直径~4mm的水滴)可以被吸收  

不管介质是否被水饱和,5秒内就可以完成介质。


《炬丰科技-半导体工艺》马兰戈尼干燥过程中晶圆接触痕污染处理方法的评论 (共 条)

分享到微博请遵守国家法律