概述

本篇文章主要介绍如何使用e2studio对瑞萨进行Flash配置，并且分别对Code Flash & Data Flash进行读写操作。 Flash有Code Flash（储存程序代码）以及Data Flash（储存一般数据），其中Code Flash主要以NOR型为主，储存系统程序代码及小量数据；而Data Flash则是以NAND型为主，用于储存大量数据。

硬件准备

首先需要准备一个开发板，这里我准备的是芯片型号R7FA2E1A72DFL的开发板：

视频教程

https://www.bilibili.com/video/BV1ck4y1K72M/

Flash

对Code Flash进行读写操作时候，特别要注意写的地址，因为如果写的不对，会覆盖到代码区，造成运行错误，同时对于擦除，是一块的数据都会直接擦除掉。 在RA2E1中，Code flash最高为128KB，Data flash为4KB。

FLASH配置

点击Stacks->New Stack->Storage -> Flash (r_flash_lp)。 

FLASH属性配置

Data Flash

对Data Flash进行读写操作时候，特别要注意要等待Data Flash写完才能进行后续读写操作。 在RA2E1中，Data Flash分布如下所示。 

 回调函数的话有下列事件会进行触发。 

新建flash_smg.c和flash_smg.h。 在主程序中加入该头文件 

回调函数如下所示，在flash_smg.c里。

向Block0种写入时间分钟数据和小时数据，地址范围是0x40100000 - 0x40100FFF，在flash_smg.c里定义

在主程序中定义标志位进行数据保存判断。

 在main主程序中，定义在按键修改完毕数据后进行保存。

 同时需要在按键设置完毕进行数据保存，模式3中需要定义标志位为1。

 同时需要注意变量引入到timer_smg.c。

 同时在RTC时钟走到0秒时候保存一次数据。

 读取函数如下所示,在flash_smg.h中。

同时在主程序中开启flash以及将保存的数据读取出来。 由于需要在RTC开启时放入该数据 ，故需要放在RTC开启前面。

flash_smg.c

flash_smg.h

主程序