《炬丰科技-半导体工艺》GaN 和 SiC 晶体管的区别

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：GaN 和 SiC 晶体管的区别

编号：JFKJ-21-008

作者：炬丰科技

  几十年来，硅一直主导着晶体管世界。但这种情况正在逐渐改变。已开发出由两种或三种材料制成的化合物半导体，并具有独特的优势和卓越的特性。例如，化合物半导体给了我们发光二极管（LED）。一种是由砷化镓 (GaAs) 和砷化镓和磷 (GaAsP) 的混合物组成。其他人使用铟和磷。

  问题在于化合物半导体更难制造且更昂贵。然而，与硅相比，它们具有显着的优势。汽车电气系统和电动汽车 (EV) 等要求更高的新应用发现化合物半导体能更好地满足其严格的规范。

  作为解决方案出现的此类化合物半导体器件是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率晶体管。GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但也有显着差异。本文比较了两者并提供了一些事实，以帮助您为下一个设计做出决定。

宽带隙半导体  略

GaN 和 SiC 晶体管正变得容易获得，以应对汽车电气设备的挑战。GaN 和 SiC 器件的主要优点是这些优势：

· 具有 650、900 和 1200 V 器件的高压能力；

· 更快的切换速度；

  略

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