《炬丰科技-半导体工艺》GaN的晶体湿化学蚀刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：GaN的晶体湿化学蚀刻

编号：JFKJ-21-012

作者：炬丰科技

  现有的第三类完成族干式对象的加工方式包括干式有几种，产生的会引发破坏。 通过干法产生的潜在影响，可能有近50纳米的影响，尽管最近报道了低至4±6纳米的有效值。湿法辅助也已被用于证明基础涂层~GaN具有设备成本相对较低、表面损坏小等，但目前还没有生产好还报道了GaN的解，其均方根在表面上生长的GaN的16nm和尖晶石上生长的GaN的0.3nm之间发生了变化。

  我已经发现基于K的溶液可以用AlN和InAlN，但之前没有发现能够因此NOHGaN的酸碱溶液。在这信中，我们用他们代替水作为KOH和NaOH的，溶剂使用 90 到 180 °C 之间的温度。这些温度超过水的沸点，并且是远在以前的参考文献中使用温度的两步工艺。我们的样品是2米通过金属有机化学气相沉积~MOCVD！在 c 面上发育型 m 厚 n GaN 外延层，以及lm的X半峰全宽为800秒弧秒......

  （一种）由 H3PO4 全球的 $101¯3% 平板。 (二)底切 $101¯¯2% 平板用 H3PO4 转化。 （C） 乙烯中 KOH 的 $101¯0% 垂直平面

汉语。      略

  3. 在 KOH 和 30% KOH 溶解氧设备中的 GaN 转化速度的阿伦尼乌斯图。实心和空心符号代表测量的传输速度沿线边缘平行于 分别为1120 a平面和1010 m平面。       略

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