《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓蚀坑的观察与研究
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：氮化镓蚀坑的观察与研究
编号：JFKJ-21-090
作者：炬丰科技
1. 介绍
近年来，宽带材料氮化镓 (GaN) 基材料已成为光电器件和高温/高功率电子器件的深入研究主题。紫外线检测器、氮化铝场效应晶体管、可见光发射二极管和高迁移率晶体管已被证明。GaN 和氮化铝镓 材料通常通过金属有机气相外延、分子束外延和氢化物气相外延生长。由于 GaN 和蓝宝石之间存在较大的文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁晶格失配以及热膨胀系数的失配，GaN 薄膜的位错密度高达 108 至1010 厘米。高位错密度导致较差的器件特性和较短的寿命。缺陷和位错的二维表面评估对于表征器件性能和 GaN 晶体质量之间的关系很重要。
位错（主要是 GaN 中的螺纹位错）的表征主要通过透射电子显微镜 进行。这是一个揭示位错微观结构的过程。然而，该过程繁琐且耗时。因此，重要的是通过简单的程序完成晶体表征，即化学蚀刻以获得有关位错的有价值的信息。
化学蚀刻是一种有用的晶体表征方法。蚀刻通常是一种破坏性的过程。由于 GaN 对各种无机酸和王水具有化学稳定性，因此尚未发现适合的蚀刻剂。熔融氢氧化钠、氢氧化钾、焦硫酸钾和 50% 氢氧化钠水溶液是唯一已知的蚀刻剂。使用熔融 KOH 研究了在蓝宝石上生长的 GaN 的蚀刻坑。小泽等人。发现所有蚀刻坑都是六边形金字塔，暂时归因于 GaN 层中的位错。
