书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：掩模清洁技术工艺

编号：JFKJ-21-107

作者：炬丰科技

摘要

随着特征尺寸的不断缩小，清洁变得越来越重要和具有挑战性。已经探索了许多方法和策略来减少颗粒缺陷和离子雾度，这些缺陷和离子雾度会破坏薄膜掩模板的产量。成功的清洁方法必须平衡颗粒和雾度的减少，同时对铬叠层的透射率、暴露的石英和硅化钼表面的相移施加最小的变化。本文重点介绍了在单个掩模版清洁工具中协同工作的许多先前探索的清洁方法。我们展示了文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁我们在消除对反射率和相位角影响最小的粒子方面的发现。我们测试了臭氧水和使用氢氧化氨和氢水的最终清洁方法的综合效果。

介绍

其他人已将硫酸盐和氨离子残留物与污染增长联系起来，通过增强清洁技术减少掩模版上的此类残留物，可以延长使用寿命。在掩模清洁过程中消除这些残留物是向前迈出的重要一步。在最终清洗过程中置换硫酸是一种明显的离子还原手段。消除氨和热水将有利于硅化钼和石英的耐用性。因此，最大的进步可能是避免使用高浓度的碱和酸，并在室温下使用低浓度试剂。

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这篇文章主要已经讨论了室温清洁——它对铬表面的影响。我们发现，在获得世界一流的相移和透射率数据的同时，可以对 SiN 颗粒进行 99% 以上的清洁。使用这种低损坏质量的清洁级别，可以进行更多的清洁，同时减少缺陷。