《炬丰科技-半导体工艺》磷化铟在光电器件中的应用

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：磷化铟在光电器件中的应用

编号：JFKJ-21-105

作者：炬丰科技

摘要：

磷化纳米晶半导体因其直接带隙大和基本物理特性而成为重要的无机材料之一。 它们的物理性质在高速数字文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁电路、微波和光电子器件等方面具有广泛的应用前景。 与II-VI和I-VII半导体相比，IIIA磷化物具有高度的共价键、较少的离子特性和较大的激子直径。 本文综述了气相法和液相法合成III-V磷化铟纳米线的研究进展。 本文还报道了核壳结构的形成及其利用高能带隙半导体量子点的敏化。 在本综述的后面部分，重点介绍了聚合物杂化材料在光电二极管中的应用。

1介绍

2.磷化铟纳米线的合成   略

3.磷化铟纳米线的应用   略

4.结论    略

在本文中，我们介绍了InP NWs的各种合成路线。以及磷化铟纳米线的合成和应用