半导体物理名词解释题目&刘恩科第七版&中科院804考研
历年真题名词解释题目——截至2020年，不包括21考研
本征半导体（98、07乙A、17）
复合中心（98）
耗尽层近似（98）
沟道迁移率（98）
空穴（98材、99、02材、07乙B、13、16）
等能面（99、18）
深能级杂质（99、00材、03材、05、07乙B、16）
准费米能级（99、05、07乙B、20）
热敏、光敏（99）
态密度有效质量（99）
自补偿（99）
室温下硅、锗、砷化镓的本征载流子浓度数量级（99）
等电子杂质（00材、03材、05）
陷阱中心（05）
磁阻（05）
霍尔角（05）
表面复合速率（05、07乙B、20）
界面态（05）
晶胞（07甲）
原胞（07甲）
晶格常数（07甲）
面心立方晶胞（07甲）
体心立方晶胞（07甲）
简单晶格（07甲）
复式晶格（07甲）
金刚石结构（07甲）
简并半导体（01材、03材、07乙A、13、19）
俄歇复合（07乙A）
PN结（07乙A）
肖特基势垒二极管（07乙A）
间隙式杂质（07乙A、17）
齐纳击穿（07乙A、12、16）
受主能级（07乙A、17）
少子寿命（07乙A）
反型异质结（07乙A）
禁带宽度（07乙B）
热载流子（07乙B、13、17）
迁移率（96材、01材、02材、07乙B）
欧姆接触（07乙B、13、16）
本征吸收（07乙B）
PN结势垒电容（07乙B、13、17）
载流子有效质量（12）
费米分布函数（00材、12、20）
费米能级（12、16）
电导有效质量（12）
非平衡载流子寿命（12、16）
塞贝克效应（12）
达姆表面态（12）
半导体超晶格（98材、03材、12）
受激辐射（12）
弗伦克尔缺陷（13、16）
受主杂质（02材、13）
汤姆孙效应（13、20）
单电子近似法（13、19）
MIS平带状态（13、20）
布里渊区（15）
导带有效状态密度（15）
载流子扩散（15）
杂质补偿作用（02材、15）
PN结势垒高度（15）
金-半接触整流效应（15）
杂质电离能（15、20）
晶格振动散射（15）
MIS的开启电压（15）
直接复合（15）
电离杂质散射（16）
表面态（16）
调制掺杂异质结构（16）
Si-SiO2界面快界态（17）
间接复合（17）
突变反型异质结（17）
等同能谷间散射（17、20）
宽禁带半导体材料（96材、02材、18）
替位式杂质（18）
PN结的雪崩击穿机理（18）
半导体的功函数（18）
晶体的热导率（18）
应变异质结（18）
极性半导体（18）
平均自由时间（18）
表面复合（18）
电子有效质量（01材、02材、19）
杂质的束缚态（19）
杂质的双性行为（19）
本征激发（19）
朗道能级（19）
爱因斯坦关系（19）
受主型界面态（19）
分布反转（19）
自由载流子吸收（20）
PN结扩散电容（20）
价带有效状态密度（20）
点缺陷（96材）
层错（96材）
量子阱结构（96材、01材、03材）
肖特基缺陷（98材）
非平衡载流子（00材、02材）
P+N结空间电荷区示意图（00材）
电学补偿（00材、03材）
载流子（01材）
类氢杂质（01材、03材）
同质结、异质结（01材、03材）
态密度函数（01材、03材）
非简并半导体（01材、03材）
PN结的光生伏特效应（01材、03材）
施主杂质（02材）
功函数（02材）
电子亲和能（02材）
浅能级杂质（03材）
平衡载流子浓度（03材）
非平衡载流子浓度（03材）
位错（03材）
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