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《炬丰科技-半导体工艺》晶圆臭氧清洗技术

2021-09-03 11:46 作者:华林科纳  | 我要投稿

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:晶圆臭氧清洗技术

编号:JFKJ-21-275

作者:炬丰科技

几种晶片清洗技术的综述突出了溶解臭氧的优点和传统的硫酸-过氧化氢法 

介绍

  半导体行业的研究人员研究了臭氧对wafer-cleaning的应用程序。降低化学品消耗,降低成本,提高清洗效率,对臭氧进行了研究作为一种替代,传统的硫酸-过氧化氢 RCA用碱性(SC-1)和酸性来清洗。它是 (SC-2)过氧化氢混合物 这是因为消毒活动产生的多重影响。

DIO3可降解有机物污染

结论  

  湿式清洗工艺将继续发挥作用在半导体制造中扮演着重要的角色晶圆结构的复杂性增加。在可靠的臭氧产生系统发展,使臭氧牵引替代传统的湿清洗和pho抵抗去除方法。臭氧/水清洁产品更便宜,更环保。

   


《炬丰科技-半导体工艺》晶圆臭氧清洗技术的评论 (共 条)

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