《炬丰科技-半导体工艺》清除化学杂质技术工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：清除化学杂质技术工艺

编号：JFKJ-21-171

作者：炬丰科技

衬底制备  

  清除化学杂质和颗粒，加热解吸水，并进行处理与附着力促进剂一起制备的都是用于抗蚀涂层的基材。以下几节中所描述的这些措施对所有的litho工艺都不是绝对必要的。 每一个步骤应该考虑到每一个单独的过程，如果必要，调整。

 清洗衬底  

  吸附水对于清洁的基材，建议在大约。 120℃解吸几分钟通常吸附在接触空气湿度的表面上的水分子。 这一步，原则上是可以的跳过，如果底物已经在此之前立即用异丙醇或异丙醇清洗在另一个工艺步骤加热到100°C以上。为了最大限度地与氧化表面(天然或热氧化的硅、石英、玻璃、大多数金属)附着力，烘烤温度可以提高到140°C以上。 在这个过程中，氢氧键通常呈现在氧化表面暴露在空气潮湿中一段时间后，则呈现破碎、疏水的特性从而使抗蚀剂的润湿性和附着力进一步增加。根据相对湿度和基材的量，水膜能再次吸附在上面基材表面经过短时间处理后。 因此，应进行后续的抗蚀涂层在烘烤后尽快，但不能在基材冷却到室温之前。

有机杂质     略

食人鱼蚀刻和RCA清洗    略

附着力促进剂     略

抗蚀剂附着的特殊问题   略

抗粘着力和接触角的测量   略