《炬丰科技-半导体工艺》 晶圆级金硅研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：晶圆级金硅研究

编号：JFKJ-21-174

作者：炬丰科技

摘要  

  本研究工作的目的是研究低温金硅共晶结合硅片形状记忆合金。 为优化更好的键合工艺进行了研究工作屈服和更高的粘结强度。金层的厚度、加工温度、扩散屏障、粘接层的去除硅氧化物是确定可靠和均匀键合的重要参数。 基于在前人研究的基础上，制备了7种不同的Si衬底，研究其对Au-Si共晶键合的影响上述参数。 采用SMA和钢制备了不同粘结尺寸的悬臂梁表。 然后，这些悬臂被粘结到制备的基底上。粘结率和粘结强度是决定粘结质量的两个参数。 定量通过剪切试验进行分析。 采用扫描电子显微镜和测绘技术分析键界面和元素在键上的扩散。该研究已取得了SMA悬臂梁在高成材率和高键合率硅片上的键合结果的力量。 钢悬臂梁也可采用Au-Si共晶合金粘结，但需加工薄钢板是至关重要的。 钢悬臂梁的制造和应力研究还需要进一步的研究穿过键合界面。 研究发现，金的用量是可靠键合的关键因素。 

介绍  

  本报告是在微系统技术学院完成的硕士论文项目的结论。 该项目的是研究晶圆级金硅形状记忆合金片与硅的共晶结合。SMA在所有驱动机构中工作密度最高，这使得它对Micro最有吸引力机电系统应用。 因此，我们的目标是开发一种最佳共晶SMA与硅的键合技术。

 论文结构   略

本文的目的  略

背景  

本章将深入了解MEMS、SMA驱动器和晶圆键合......

金矽共晶键合    略

制造和实验     略