《炬丰科技-半导体工艺》TSV后蚀刻清洗工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：TSV后蚀刻清洗工艺

编号：JFKJ-21-173

作者：炬丰科技

 关键词:无损伤，含氟聚合物残留，高纵横比，Megasonic清洗，TSV清洗  

摘要  

  本文采用了空间交替相移超音波技术用于蚀刻后TSV晶片的清洗过程。 SAPS技术提供统一的声波在整个晶圆片的每一点上的能量，是通过在晶圆片之间的间隙中产生的超音波的交替相位来实现的超音波器件及晶圆。 实验验证提供了物理分析和电气测试。 扫描电镜用EDX检测含氟聚合物残留的存在。

介绍  

  通过硅通道器件是增加3D芯片封装的关键因素密度和改进的器件性能。蚀刻是一个典型的反应离子蚀刻过程产生高纵横比通过tsv(10:1或20:1的深径比)。 RIE工艺用于制造tsv要求快速变换各向同性等离子体蚀刻和氟碳聚合物沉积步骤，导致孔道侧壁有含氟聚合物蚀刻残留物。 

实验  

  本研究将空间交替相移超音波技术应用于井壁TSV腐蚀后清洗时清除残留。 SAPS技术提供均匀的声波能量通过在晶圆表面的间隙中交替超音波的相位来实现超音波换能器和晶片。 清除残留物的化学自由基在稀释溶液，以超音波能量促进。 此外，气泡的机械力 在大声速搅拌过程中产生的空化现象提高了传质速率，改善了传质性能在清洗过程中，除渣效率。与常规湿法相比清洁方法中，SAPS megasonic技术表现出较高的除渣效率和较低的 高纵横比通孔的材料损耗。 

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结论  

  本文介绍了一种应用于后刻蚀TSV晶片的SAPS清洗技术提出了。 从实验结果来看，SAPS技术提供了均匀的超音波并具有显著的TSV残余去除能力。  

  结果表明，TSV晶片经过SAPS清洗后表现出明显的电性与传统的单晶片喷雾清洗相比，性能显著提高的方法。  

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结论  

  本文介绍了一种应用于后刻蚀TSV晶片的SAPS清洗技术提出了。 从实验结果来看，SAPS技术提供了均匀的超音波并具有显著的TSV残余去除能力。   略