《炬丰科技-半导体工艺》氮化铝蚀刻工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：氮化铝蚀刻工艺

编号：JFKJ-21-025

作者：炬丰科技

氮化铝 (AlN) 是一种很有前途的衬底材料，可用于富铝 III 族氮化物的外延，可用于

例如在深紫外光电和高功率微波设备中......然而，到目前为止，对AlN单晶不同表面的蚀刻现象还没有详细了解。

 在这项研究中，我们解决了未解决的问题，并提出了关于 AlN 中缺陷的湿化学蚀刻的新结果和见解。

我们使用在我们实验室 [3] 中生长的独立式 AlN 单晶以及此类晶体的抛光切割来研究使用不同温度和蚀刻时间在 KOH-NaOH 共晶溶液中的蚀刻......铝极性表面显示出不同大小的六角形凹坑，这可归因于螺位错和刃位错。我们能够通过将较小蚀刻坑与发现的特征进行比较来验证较小蚀刻坑的边缘位错性质。

 微缩进、随后退火和蚀刻的样品，类似于 Kamler 等人在 GaN 上的工作 [2]......但也发现了孤立的大金字塔；它们的密度与 Al 极性面上的蚀刻坑的密度大致相关。金字塔在重复蚀刻高达 100 µm 的表面烧蚀时仍然存在，因此推测它们表明存在位错（TEM 研究正在进行中）。最后，我们展示了具有不同光学特性（例如由不同浓度的杂质或固有缺陷引起）的单晶样品中的区域在蚀刻图案和蚀刻速率方面表现出显着差异；因此，湿法蚀刻适用于检测样品中的宏观不均匀性。

文章全部详情，请加V了解：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁

如有侵权，请联系作者删除