《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓效应工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：氮化镓效应工艺

编号：JFKJ-21-022

作者：炬丰科技

1.1 III-氮化物材料系统：AlGaN/GaN HFETs

由于 III 族氮化物材料系统的众多卓越品质，AlGaN/GaN HFET 实现了其卓越的性能，其中 AlGaN/GaN 只是其中的一个子集。AlGaN/GaN 材料系统由于其许多独特且有益的特性，特别适用于半导体器件和 HFET。该材料系统表现出优异的击穿场、电子迁移率、电子饱和速度和热导率。AlGaN/GaN HFET 更准确地称为 AlxGai-xN/GaN HFET，其中 x 代表 Al 摩尔分数。这对于理解 AlGaN/GaN 系统的优势非常重要......在该表中，所谓的综合品质因数 (CFOM) 将所有材料参数分解为一个数字（归一化为硅）。值得注意的是，尽管 GaAs 具有更高的电子迁移率，但 GaN 的宽带隙、大击穿场和良好的导热性表明，总体而言，GaN 的性能优于 GaAs。虽然适用于某些设备应用，但以下 CFOM 定义并不是所有材料参数的公正表示，只是那些被认为与高功率、高频性能最相关的参数。

1.2 AlGaN/GaN HFETs理论

在最简单的形式中，AlGaN/GaN HFET 由衬底（通常是蓝宝石、SiC 或有时是 Si）、金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 或分子束外延 (MBE) 生长的 GaN 沟道层和类似生长的 AlxGai 组成——具有欧姆源极和漏极触点的势垒层以及在选择性蚀刻到异质结构中的台面上定义的肖特基栅极。基本的 HFET 结构如图 1.1 所示......

1.3 AlGaN/GaN HFET 的问题    略

1.4 论文大纲   略

AlGaN/GaN 2DEG 的欧姆接触

2.1 欧姆接触测量   略

在用于制造的掩模组上定义了许多测试结构。就本论文而言，这些测试结构中最重要的是传输长度方法 (TLM) 模式。传输长度方法模式允许表征接触电阻 Rc、特定接触电阻率 Pc 和薄层电阻 Rsh。TLM 图案特别有用，因为它们允许表征 AlGaN/GaN HFET 中 2DEG 的欧姆接触形成的质量......该模型的具体细节在[10]. 不幸的是，我们研究中使用的掩模组上存在的标准 TLM 模式不能提供足够的数据来确定 TLTLM 参数[10].2.2 AlGaN/GaN 欧姆接触理论

2.2.1 欧姆接触的形成      略

2.2.2 表面形态  略

2.3 欧姆接触性能文献综述  略

2.4 选择欧姆金属化   略

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