书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：氮化镓特性及应用简介

编号：JFKJ-21-021

作者：炬丰科技

1.1历史  背景

几十年来，氮化镓 (GaN) 和其他相关材料（例如三元 AlGaN 和 InGaN 以及四元 InAlGaN）已被用于光电元件。此外，这些氮化物中的一些最近也成为下一代电力电子器件的有前途的半导体。事实上，在电力电子中引入基于氮化镓的材料可以提高设备的效率并降低电力消耗。因此，与其他化合物半导体相比，未来几年的整体氮化物器件市场预测要光明得多。

为了 由于这些原因，现代电子学和光电子学中预期的革命通常被半开玩笑地视为“GaN 化”。

本书概述了用于电力电子和光电器件的主要氮化物半导体技术：晶体管、二极管、发光二极管 (LED)、激光二极管 (LD) 等。通向这些器件的道路很长，而且没有很容易，因为氮化物很难生长和加工。本章介绍了 GaN 及相关材料的特性和应用。

氮化镓的历史可以追溯到 1930 年代初，从那时起，它以许多重要的里程碑为特征，从而创造了电子和光电器件的关键技术。氮化物研究的重要历史步骤总结如下：

• 1932 年：第一个多晶 GaN 材料是通过流动的氨气合成的

经检验，证明其在氢气气氛中高达 800 C 的稳定性。

• 1938 年：在 GaN 粉末上研究了 GaN 的晶体结构 [2]......

1.1 氮化物的基本性质

氮化物半导体（GaN、AlGaN、InAlN、InGaN、InAlGaN、AlN 等）具有许多特性，这使得它们对于许多光电和微电子应用非常有用......所有这些方面都将在以下各节以及本书的其他章节中进行更详细的讨论。

1.2..1微观结构及相关问题

1.2.2光学特性

1.2.3电气特性

1.2.4AlGaN/GaN 异质结构中的二维电子

1.3 GaN基材料的应用

1.3.1 光电器件

1.3.2功率和高频电子设备

1.4总结

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