模拟电子技术基础


collecter集电区
emitter发射区
base基区

集电结Jc:靠近集电区的PN结。
发射结Je:靠近发射区的PN结。

集电区:收集载流子。
发射区:发射载流子。
基区:控制载流子。
NPN管载流子是电子,PNP管是空穴。

发射区:掺杂浓度要高。
集电区:像仓库一样收集载流子,因此体积要大。
基区:掺杂浓度低,做得很薄。

放大状态下,发射结正偏,集电结反偏。
NPN管符号:箭头外指。
PNP管符号:箭头内指。
(箭头的方向是P→N的方向)

三个过程:
1.发射结正偏,所以发射区电子注入基区,产生电流Ie。
2.注入到基区的电子,有一部分要与那里的空穴复合,复合后,基区空穴数变少。
为了维持基区空穴浓度不变,需要从外部补充空穴,也就是提供电流Ib。
3.除复合外,基区还聚集有许多电子,而集电结是反偏的,因此这些电子漂移到集电区,产生电流Ic。

Ie=Ic(大)+Ib(小)
忽略的细节:
1.忽略了“集电结反向饱和电流”Icbo:发射区电子注入到基区,而这些电子从基区漂移到集电区的电流又不完全等于Ic。因为集电区的少子空穴也会向基区运动,基区自身的电子(非注入)也会向集电区运动。
Ic=Icn+Icbo
2.忽略了“空穴扩散电流”Iep:电流Ie也由两部分组成——注入到基区的电子产生的电流Ien,空穴反方向从B→E的电流Iep。
Ie=Ien+Iep≈Ien
3.提供给基区的电流不完全等于Ib,集电区向基区运动的空穴起到了与Ib相同的作用,同时如2所提到的:基区空穴也会扩散出去。
所以从基区自身看 Ib=Ibn+Iep(出去的补上)-Icbo(进来的去掉)
Ib也等于:Ib=Ie-Ic=Iep+Ien-Icn-Icbo

放大系数β=Ic/Ib
例如:从发射区过去1000个电子,在基区复合200个,980个到达集电区。这个比值是确定的50倍,是常数。
