《炬丰科技-半导体工艺》InP电感耦合刻蚀

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：InP电感耦合刻蚀

编号：JFKJ-21-140

作者：炬丰科技

论文摘要  

  电感耦合等离子体刻蚀是微电子和光电子制造过程中图形转移的一种很有前途的低压高密度工艺。在这项工作中，成功地构建了一个以蚀刻InP为目的的ICP系统，InP是一种在光通信和高速集成电路文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁中应用非常有吸引力的材料。采用不同类型的气体混合物作为等离子体前驱体。研究了气体成分、射频功率、总流量和压力对蚀刻速率、蚀刻轮廓和表面形貌的影响。等离子体提供了高选择性的各向异性刻蚀过程。由于去除in和p的不平衡，蚀刻表面产生了表面粗化和磷耗尽现象。得到镜面腐蚀表面。在平顶山的侧壁上发现了一种常见的过切现象，认为是由于SiO2掩膜的侵蚀。

介绍  

  半导体是一组导电率介于导体和绝缘体之间的材料，这些材料的电学和光学性质可以通过改变杂质含量、热激发和光激发来调节。在元素周期表的IVA族中发现的硅和锗是两种元素半导体。此外，IIIA组、VA组、IIB组、VIA组、IVA组的化合物也表现出半导体特性。它们被称为复合半导体。半导体在现代电子学和光电子学中发挥着不可或缺的作用。 与金属和电介质材料一起，它们可以制成各种集成电路和器件。

本文讲解了等离子体的基本概念，等离子刻蚀，等离子体腐蚀评价等问题。

结论    略