《炬丰科技-半导体工艺》宽禁带半导体湿法蚀刻GaN、ZnO 和 SiC
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：宽禁带半导体湿法蚀刻GaN、ZnO 和 SiC
编号：JFKJ-21-072
作者：炬丰科技
介绍
宽带隙半导体 GaN、SiC 和 ZnO 对许多新兴应用具有吸引力。例如，AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 和单片微波集成电路 (MMIC) 的开发有望实现高频操作。此外，GaN用于紫外波长的光电器件。它具有高击穿场，是 Si 或 GaAs 的 50 倍以上，因此可用于高功率电子应用。GaN 的宽带隙使其可用于蓝色/紫外发光二极管 (LED) 和激光二极管 (LD)，并且由于其本征载流子浓度较低，因此可以在非常高的温度下工作。高电子迁移率和饱和速度使其可用于高速电子设备。此外，AlGaN/GaN 等异质结构允许制造高速器件，例如 HEMT。ZnO 是一种具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙材料，可用于气体传感器、透明电极、液晶显示器、太阳能电池、压电换能器、光电材料器件、蓝光、UV LED文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁和激光二极管。ZnO 对蓝光/紫外 LED 和薄膜晶体管 (TFT) 具有浓厚的兴趣。与 GaN 相比，ZnO 具有在廉价玻璃上相对较低的生长温度和比 GaN (25meV) 高得多的激发结合能 (~ 60meV) 的优势。这意味着 ZnO 在室温下具有更稳定的激子态，因为热能约为 26meV。由于室温下的热量或激子之间的散射，ZnO 半导体中的激子不会分解成自由电子或空穴。此外，还提供商业 ZnO 基板。与 GaN 相比，ZnO 系统还具有更简单的加工工艺，GaN 无法在安全温度下在常规酸混合物中进行湿蚀刻。
1.碳化硅 略
2.氮化物 略
3.氧化锌及相关化合物 略
结论
GaN 和 SiC 的湿法蚀刻对于大多数器件应用来说是困难的并且在很大程度上是不切实际的。在这些情况下，干蚀刻是优选的。ZnO 在大多数酸溶液中很容易被蚀刻，而干蚀刻相对困难。
