《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓金属器件表面沉积技术
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：氮化镓金属器件表面沉积技术
编号：JFKJ-21-071
作者：炬丰科技
抽象的：
综述了与金属氧化物半导体器件相关的极性氮化镓 (GaN) 表面、表面处理和栅极电介质的文献。介绍了 GaN 生长技术和生长参数对 GaN 外延层特性的重要性、使用原位和非原位工艺修改 GaN 表面特性的能力以及对 GaN 金属氧化物半导体 (MOS) 器件的理解和性能的进展以及讨论。尽管对每个主题所涵盖的问题的重点研究正在形成合理一致的图景，但未来的研究可以通过探索这些主题之间的联系来更好地理解关键的氧化物 - 半导体界面。讨论了分析栅极堆叠中的缺陷浓度和能量的挑战。
关键词： 氮化镓生长；氧化物；表面；治疗；界面; 原子层沉积
1. 介绍
氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体材料，具有高击穿电压，因此非常适合高频、高功率和高温应用。直到最近，在 LED 市场以外的商业电子设备中使用 GaN有限。然而，基于 GaN 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 自 2006 年就已投入商业使用，并已用于各种无线应用。直到最近，在蓝宝石或 SiC文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁衬底上生长 GaN 外延层的要求一直是在许多技术应用中更广泛采用 GaN 的经济障碍。 略
2. 氮化镓表面
GaN 以立方晶体结构或六方晶体结构存在。极性六方晶体结构是最受技术关注的。因此，极性 GaN 是本次审查的相关表面。具有 Ga 面终端的极面由米勒指数表示，具有 N 面终端的极面由米勒指数表示）。由于 GaN 具有相对较大的离子性，Ga-N 键的离子特性和相关的静电效应有望在其结构和电子特性中发挥重要作用，这些特性不如低离子半导体，如GaAs。生长的纤锌矿 GaN 基异质结构中，在表面和界面状态中捕获的电荷、自发极化和压电极化（后者在应变的存在下）都对异质界面处的总电荷密度有所贡献。
2.1氮化镓的生长 略
2.2表面重建 略
2.3批量缺陷 略
2.4表面缺陷 略
