《炬丰科技-半导体工艺》刻蚀均匀性技术研究
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：刻蚀均匀性技术研究
编号：JFKJ-21-120
作者：炬丰科技
摘要
介绍了硅湿法刻蚀的工作原理，分析了影响硅刻蚀均匀的主要因素，重点阐述了在湿法腐蚀设备中提高硅刻蚀均匀性的方法。
关键词： 湿法刻蚀 各向同性刻蚀 各向异性刻蚀 刻蚀均匀性
介绍
刻蚀是把进行光刻前所淀积的薄膜中未被光刻胶覆盖的部分用化学或物理的方式去除，用以完成掩模图像的转移。刻蚀是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，分为湿法刻蚀和干法刻蚀。 湿法刻蚀是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质剥离下来的方法；干法刻蚀的刻蚀剂是等离子体，是利用等离子体和表面薄膜反应，形成挥发性物质，或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。
虽然湿法刻蚀在保证细小图形转移后的保真性方面不如干法刻蚀，但由于生产成本低、产能高、适应性强、表面均匀性好、对硅片损伤少、其优良的选择比在去氧化硅、去除残留物、表层剥离以及大尺寸图形刻蚀等方面有着广泛的应用。
湿法刻蚀的特点是：反应生成物必须是气体或能溶于刻蚀剂的物质，否则会造成反应物沉淀，影响刻蚀的正常进行；湿法刻蚀一般为各向同性，即水平方向和垂直方向的速率是相同的， 这样会导致侧向出现腐蚀。因此，刻蚀后得到的图形结构不是理想的垂直墙；湿法刻蚀过程常伴有放热和放气现象，影响刻蚀速率，使得刻蚀效果变差。
硅湿法刻蚀是常用的刻蚀工艺，广泛应用于实际生产中。除湿法刻蚀工艺外，湿法刻蚀设备性 能及工艺槽结构，是影响硅湿法刻蚀均匀性的重 要因素，提高湿法刻蚀设备性能指标、优化工艺槽 结构，是改善刻蚀均匀性的重要途径。
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