欢迎光临散文网 会员登陆 & 注册

《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集25

2021-09-06 15:18 作者:华林科纳  | 我要投稿

一:半导体硅淀积和刻蚀

二:硅片制备中的热工设备介绍

三:直拉单晶硅工艺技术

四:6英寸重掺砷硅单晶及抛光片

五:300mm硅单晶及抛光片标准

六:化学机械抛光技术的研究进展

七:半导体单晶抛光片清洗工艺分析

八:硅片的表面起伏问题与解决方案

九:半导体制造工艺中的化学原理

十:半导体CMP和蚀刻流程

十一:硅抛光片CMP市场和技术现状

十二:化学机械抛光液行业研究

十三:直径12英寸硅单晶抛光片

十四:半导体IC清洗技术

十五:化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展

十六:半导体IMEC清洗工艺

十七:硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理

十八:化学机械抛光CMP技术存在的问题

十九:双极型集成电路和MOS集成电路优缺点

二十:表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用


《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集25的评论 (共 条)

分享到微博请遵守国家法律