台积电表示2025年量产2nm半导体制造工艺

据台湾媒体报道，目前台积电先进制程进展顺利，3nm制程将于今年下半年量产，升级版3nm（N3E）制程将于2023年量产，2nm制程将会在2025年量产，公司代表向台湾媒体成员保证，它将继续引领全球半导体行业。

台积电研究发展资深副总经理米玉杰表示，将在2024年获得ASML下世代极紫外光刻设备（High-NA EUV），为客户发展相关的基础设施与架构解决方案。台积电业务开发资深副总经理张晓强则表示，2024年取得设备后，初期主要用于与合作伙伴共同研究，尚不会量产。具体的量产将会是在2025年。

台积电还在亚洲举办了其他活动，分享了2nm制造技术的细节。截至目前，该公司的目标是使新技术的性能比目前最新的3nm技术提高10%到15%之间，新技术还可将功耗降低25%至30%。这些细节在本月初举行的台积电台湾技术论坛上由高管们分享，在活动中，他们还概述了3nm芯片制造的进展，第一代3nm技术有望在今年生产，而N3E升级版本将于明年投入生产线。

台积电的3nm技术今年一直处于争议的中心，此前其竞争对手三星在上半年抢先宣布量产，市场报道称台积电将因英特尔订单问题而削减资金支出，面对这样的消息，这家全球最大的代工芯片制造商一再断言，3nm生产正在走上正轨。