《炬丰科技-半导体工艺》硅垂直湿蚀刻中的作用

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：硅垂直湿蚀刻中的作用

编号：JFKJ-21-125

作者：炬丰科技

摘要

  在本文中，我们首次对表面张力在硅各向异性湿蚀刻中的作用进行了系统研究，重点是侧壁角度。我们表明，在具有高表面张力的 KOH 和 NaOH 溶液中，可以可靠地制造垂直侧壁。Si 的蚀刻实验和通过气泡压力张力测量法测量的表面张力是使用无机蚀刻剂在广泛的范围内进行的浓度。最后，蚀刻溶液的文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁表面张力被确定为决定蚀刻行为的重要量，同时通过使用温度控制表面张力来消除浓度依赖性。

介绍

  硅的各向异性湿法蚀刻是制造 MEMS 或 CMOS 器件的重要工艺步骤。它基于与取向相关的硅晶体蚀刻。使用合适的蚀刻溶液、掩模方向和图案，可以生产具有垂直侧壁的高纵横比结构。尽管可以使用干法蚀刻方法实现垂直蚀刻，例如深度反应离子蚀刻 (DRIE)，但由于诸如更适合大批量生产、工艺吞吐量和成本等优点，湿法蚀刻正变得越来越流行。在湿蚀刻批量工艺中生产垂直侧壁的能力对许多应用和技术具有很高的潜力。在文献中结果表明，硅的各向异性蚀刻可以产生垂直的侧壁或倾斜的侧壁，分别以 45°或 54.7°倾斜。没有给出有关溶液、浓度和制造过程温度的特定依赖性和限制的详细信息。

结果......