图1是正常工作状态下的信号放大图。也就是说，加载在图2输入端的正弦交流信号可以正常放大ib->ic。

图3则是出现了饱和失真。首先，我们注意到，图2中的ic和uo是反相的，所以，饱和失真出现在u0的负半周，ic的正半周，它们的波峰都被截去了。

那么，饱和失真为什么出现在u0的负半周呢？

首先，三极管的饱和区是指发射结正偏，集电结正偏，同时Ib增大的时候，Ic增大不多或基本不变，则说明晶体管进入饱和区域。

图4说明，集电极电流IC的形成，是因为加载在集电极的正电压对于电子的吸引形成的。如果集电极的正电压很小，那么集电极就将失去这种能力。

图3表明，在Q点很高的时候，uCEQ是很小的，由于发射极接地，uCEQ很小就等于集电极电压很小，而图3中加载在uCEQ之上的交流信号处于负半周的时候，就将进一步减小集电极电压，从而导致集电极电流失去随基极电流产生变化的能力，因此，在uo的负半周出现了饱和失真。

同样可以解释图5的截止失真。在Q点很低的时候，图5（a）的IBQ已经很小，而加载在IBQ之上的交流信号ib处于负半周的时候，就将进一步减小基极电流，使得三极管进一步截止，从而导致基极电流和集电极电流在负半周产生变化的能力，因此，在ic的负半周出现了截止失真。

可以简单总结如下：

1：饱和失真出现在uo的负半周，ic的正半周

2：截止失真出现在uo的正半周，ic的负半周