IPA65R650CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA65R650CE

2023-05-19 11:11 作者:木子源野 0人读过 | 我要投稿

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型号：IPA65R650CE

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：TO-220F

最大漏源电流：10A

漏源击穿电压：650V

RDS（ON）Max：650mΩ

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-40℃~150℃

IPA65R650CE场效应管

IPA65R650CE的电性参数：最大漏源电流10A；漏源击穿电压650V

IPA65R650CE应用：

适用于高频开关和同步整流、适配器、照明、服务器.

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