《炬丰科技-半导体工艺》制造 CMOS集成电路

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：制造 CMOS集成电路

编号：JFSJ-21-032

作者：炬丰科技

网址：http://www.wetsemi.com/index.html

大纲：

一、CMOS制造工艺概述

二、CMOS制造工艺流程

三、设计规则

CMOS制造：

1.CMOS晶体管是在硅片上制造的

2.光刻工艺 类似于印刷机

3.在每一步，不同的材料被沉积或 蚀刻

4.通过在简化的制造过程中查看晶圆的顶部和横截面，最容易理解

逆变器截面：

1.通常 nMOS晶体管使用p型衬底

2.需要 n 阱作为 pMOS 晶体管的主体文章全部详情，请加V获取：hlknch / xzl1019

出色地和基板丝锥：

1.衬底必须连接到 GND，n 阱连接到 VDD

2.金属到轻掺杂半导体形成不良 称为肖特基二极管的连接

3.使用重掺杂阱和衬底触点/分接头

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